Теорема Гана про розклад

Матеріал з testwiki
Версія від 16:48, 16 квітня 2023, створена imported>LastStep (уточнення)
(різн.) ← Попередня версія | Поточна версія (різн.) | Новіша версія → (різн.)
Перейти до навігації Перейти до пошуку

У теорії міри, теорема Гана про розклад є твердженням про властивості зарядів. Названа на честь австрійського математика Ганса Гана. У випадку сигма-адитивного заряду на σ-алгебрі ця теорема і пов'язана теорема про розклад Жордана дозволяють фактично звести теорію зарядів і інтегралів на них до відповідної теорії міри.

Твердження теореми

Для будь-якого вимірного простору (X,Σ) і будь-якого сигма-адитивного заряду μ, визначеного на σ-алгебрі Σ існують Σ-вимірні множини P і N для яких:

  1. PN=X і PN=.
  2. Для кожної множини EΣ такого, якщо EP, то μ(E)0, тобто на всіх вимірних підмножинах множини P значення заряду μ є не меншим 0 (множини P із такою властивістю називаються додатними).
  3. Для кожної множини EΣ такого, якщо EN, то μ(E)0, тобто на всіх вимірних підмножинах множини N значення заряду μ є не більшим 0 (множини N із такою властивістю називаються від'ємними).

Більше того, цей розклад є майже єдиним у сенсі, що для будь-якої іншої пари (P,N) множин із Σ для яких виконуються ці три умови, симетричні різниці PP і NN є мають міру нуль разом із усіма їх підмножинами.

Пара (P,N) називається розкладом Гана заряду μ.

Доведення

Можна вважати, що μ не приймає значення (в іншому випадку можна розглядати міру μ).

Твердження про від'ємні множини

Нехай DΣ і μ(D)0. Тоді існує від'ємна множина AD ( тобто множина AΣ, така що для кожної Σ-вимірної підмножини BA, також μ(B)0) для якої μ(A)μ(D).

Доведення

Нехай A0:=D і за припущенням індукції для n0 побудована множина AnD. Нехай tn позначає супремум μ(B) для усіх Σ-вимірних підмножин B множини An. Цей супремум може бути нескінченним. Оскільки порожня множина є підмножиною An, то tn0. Згідно означення tn, існує Σ-вимірна підмножина BnAn, для якої

μ(Bn)min(1,tn2).

Тоді крок індукції завершується якщо прийняти An+1:=AnBn. Остаточно нехай:

A:=D\n=0Bn.

Оскільки множини (Bn)n=0 попарно не перетинаються, то із сигма адитивності заряду μ випливає, що

μ(A)=μ(D)n=0μ(Bn)μ(D)n=0min(1,tn2).

Зокрема звідси випливає, що μ(A)μ(D). Якщо A не є від’ємною множиною то існує Σ-вимірна підмножина BA, яка задовольняє μ(B)>0. Оскільки за побудовою також BAn для кожного n0 то і tnμ(B) , тож сума ряду праворуч є рівною + і тому також μ(A)=, що суперечить припущенню. Отже такої множини B не існує і A є від’ємною множиною.

Побудова розкладу Гана

Нехай N0= і, за індукцією, при вже наявному Nn нехай sn позначає інфімум μ(D) для усіх Σ-вимірних підмножин D множини XNn. Цей інфімум може бути рівним . Оскільки порожня множина є підмножиною XNn то sn0. Отже, існує Σ-вимірна підмножина DnXNn для якої

μ(Dn)max(sn2,1)0.

Згідно з наведеним вище твердженням існує від'ємна множина AnDn така, що μ(An)μ(Dn). Тоді для завершення кроку індукції можна позначити Nn+1:=NnAn.

Остаточно також

N:=n=0An.

Оскільки множини (An)n=0 попарно не перетинаються, для кожної Σ-вимірної підмножини BN:

μ(B)=n=0μ(BAn)

згідно сигма-адитивності заряду μ. Зокрема N є від’ємною множиною. Якщо позначити P:=XN то P є додатною множиною. Якби це було не так, то існувала б Σ-вимірна підмножина DP для якої μ(D)<0. Але тоді snμ(D) для всіх n0 і

μ(N)=n=0μ(An)n=0max(sn2,1)=,

що суперечить припущенню про μ. Отже, P є додатною множиною.

Властивість майже єдиності

Якщо (N,P) є ще одним розкладом Гана для X, то PN є водночас додатною і від'ємною множиною. Отже, кожна його вимірна підмножина має міру нуль. Те ж саме стосується і NP. Рівності:

PP=NN=(PN)(NP),

і адитивність заряду завершують доведення теореми.

Розклад Жордана заряду

Наслідком теореми Гана про розклад є Теорема Жордана про розклад, яка стверджує, що для кожного сигма-адитивного заряду μ заданого на Σ існує розклад μ=μ+μ на різницю двох мір μ+ і μ, принаймні одна із яких є скінченною.

Теорема Жордана відразу випливає із теореми Гана, якщо для довільної Σ-вимірної множини E відповідні міри визначити як:

μ+(E):=μ(EP)
μ(E):=μ(EN)

для будь-якого розкладу Гана (P,N) заряду μ.

Для побудованих так мір також для будь якого розкладу Гана (P,N) також μ+(E)=0 для Σ-вимірних підмножин EN і μ(E)=0 для Σ-вимірних підмножин EP.

Міри μ+ і μ визначені за допомогою розкладу Гана називаються додатною і від'ємною складовою заряду μ відповідно. Пара (μ+,μ) називається розкладом Жордана (або розкладом Гана — Жордана) заряду μ. Розклад Жордана є єдиним, його означення не залежить від вибору розкладу Гана.

Еквівалентно означення мір із розкладу Жордана (μ+,μ) для заряду μ можна одержати із рівностей

μ+(E)=supBΣ,BEμ(B)
μ(E)=infBΣ,BEμ(B).

для будь-якого E у Σ.

Розклад Жордана є мінімальним із усіх розкладів заряду як різниці мір: якщо також μ=ν+ν для пари (ν+,ν) невід’ємних мір на X, то

ν+μ+,νμ.

Міри (μ+,μ) із розкладу Жордана є сингулярними. Міра |μ|=μ++μ називається повною варіацією заряду μ.

Див. також

Посилання

Література