Радіус Дебая

Матеріал з testwiki
Перейти до навігації Перейти до пошуку

Шаблон:Недоліки Радіус Дебая або дебаївський радіус екранування — величина із розмірністю довжини, якою характеризує екранування кулонівського потенціалу в напівпровідниках, плазмі, електролітах.

Природа явища

Якщо помістити пробний заряд у середовище із вільними носіями заряду, то електростатичне поле на певній віддалі від нього визначатиметься сумою електростатичного поля самого пробного заряду й розташованих навколо заряджених частинок середовища. Оскільки заряджені частинки в свою чергу взаємодіють із полем пробного заряду, то вони притягатимуться до нього або відштовхуватимуться від нього. Сумарну дію всіх зарядів можна визначити, розв'язуючи рівняння Пуасона[1]

2φ=4πε(ρ+δρ),

де φ — електростатичний потенціал, ε — діелектрична проникність, ρ — густина зарядів середовища, δρ — густина пробного заряду.

Густина заряду ρ в свою чергу залежить від значення електростатичного потенціалу φ. Ця залежність визначається природою середовища. Розв'язок рівняння Пуасона з конкретною залежністю між густиною заряду та потенціалом загалом дає для потенціалу вираз, який експоненціально спадає з віддаллю (на відміну від повільного кулонівського потенціалу). Показник у експоненті визначає радіус Дебая.

Напівпровідники

Для напівпровідників радіус Дебая RD визначається формулою

RD=εkBT4πne2,

де e — заряд електрона, kB — стала Больцмана, T — температура, n — концентрація заряджених частинок (електронів та дірок), ε — діелектрична проникність напівпровідника.

Екранований кулонівський потенціал виражається через радіус Дебая як

U(r)=e2εrer/RD.

Для металів, де концентрація електронів у наполовину заповненій валентній зоні набагато більша, екранування кулонівської взаємодії сильніше й визначається іншою величиною: радіусом Томаса-Фермі.

Назва

Радіус Дебая завдячує своєю назвою нідерландському фізику Петеру Дебаю.

Примітки

Шаблон:Примітки

Литература

Шаблон:Physics-stub

Шаблон:Бібліоінформація