Файл:TyTunnelling.png

Розмір при попередньому перегляді: 800 × 568 пікселів. Інші роздільності: 320 × 227 пікселів | 640 × 455 пікселів | 915 × 650 пікселів.

Повна роздільність (915 × 650 пікселів, розмір файлу: 23 КБ, MIME-тип: image/png)

Цей файл з Вікісховища і може використовуватися в інших проєктах. Далі наведена інформація з його сторінки опису.

ОписTyTunnelling.png	English: Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the bias voltage leading to a current flowing between the right and the left "electrode" (side of the barrier).
Час створення	Göteborg 1999
Джерело	Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308.
Автор	Torsten Henning

Цей файл доступний на умовах ліцензії Creative Commons Attribution 2.5 Generic

Ви можете вільно:

При дотриманні таких умов:

зазначення авторства – Ви повинні вказати авторство, надати посилання на ліцензію і вказати, чи якісь зміни було внесено до оригінального твору. Ви можете зробити це в будь-який розсудливий спосіб, але так, щоб він жодним чином не натякав на те, наче ліцензіар підтримує Вас чи Ваш спосіб використання твору.

Історія файлу

Клацніть на дату/час, щоб переглянути, як тоді виглядав файл.

	Дата/час	Мініатюра	Розмір об'єкта	Користувач	Коментар
поточний	16:34, 12 жовтня 2005		915 × 650 (23 КБ)	wikimediacommons>DrTorstenHenning	{{English}} Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the b

Така сторінка використовує цей файл: