Файл:N-V charge control PL maps.jpg
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
Розмір при попередньому перегляді: 338 × 600 пікселів. Інші роздільності: 135 × 240 пікселів | 270 × 480 пікселів | 433 × 768 пікселів | 577 × 1024 пікселів | 2046 × 3629 пікселів.
Повна роздільність (2046 × 3629 пікселів, розмір файлу: 1,84 МБ, MIME-тип: image/jpeg)
 | Цей файл був завантажений у форматі JPEG, навіть не зважаючи на те, що він складається з не фотографічних даних. Ця інформація може бути збережена ефективніше або точніше у форматі PNG або форматі SVG. Якщо можливо, будь ласка, завантажте PNG або SVG версію цього зображення без артефактів стиснення, що походить з не-JPEG джерела (або із видаленням наявних артефактів). Після цього, будь ласка, позначте JPEG версію наступним чином {{Superseded|Нове зображення.ext}} та вилучіть цю мітку. Ця мітка не повинна застосовуватись до фотографій та сканів. Задля подробиць, див. {{BadJPEG}}. |  |
Опис файлу
| Опис | Top: Schematic figure of an in-plane Al Schottky diode on H-terminated diamond surface. A confocal μPL measurement was performed at the edge of the Al contact (green spot) to investigate the bias-voltage dependent variation of NV emission in the depletion region. Bottom: A PL-intensity mapping performed on the diamond surface at the edge of the Al-Schottky-contact (rectangle area on the left with lower PL intensity). Compared to the zero-potential condition (a) there are bright spots visible at the edge of the Al-contact (b) upon applying a reverse bias potential of +20 V indicating NV− photoluminescence in the hole depletion region of the Schottky junction. |
| Час створення | |
| Джерело | http://www.nature.com/articles/srep12160 |
| Автор | C. Schreyvogel, V. Polyakov, R. Wunderlich, J. Meijer & C. E. Nebel |
| Ліцензія (Повторне використання цього файлу) |
  Цей файл доступний на умовах ліцензії Creative Commons Із зазначенням авторства 4.0 Міжнародна
|
Історія файлу
Клацніть на дату/час, щоб переглянути, як тоді виглядав файл.
| Дата/час | Мініатюра | Розмір об'єкта | Користувач | Коментар | |
|---|---|---|---|---|---|
| поточний | 07:45, 15 березня 2017 | | 2046 × 3629 (1,84 МБ) | wikimediacommons>Materialscientist | =={{int:filedesc}}== {{Information |description=Top: Schematic figure of an in-plane Al Schottky diode on H-terminated diamond surface. A confocal μPL measurement was performed at the edge of the Al contact (green spot) to investigate the bias-voltage... |
Використання файлу
Така сторінка використовує цей файл:
