Монооксид кремнію

Шаблон:Речовина Монооксид кремнію (моноксид кремнію) — сполука кремнію з киснем загальної формули SiO. Існує в молекулярному (газоподібному) та твердому (конденсованому) стані. Газуватий SiO був виявлений у зорях, і вважається найбільш розповсюдженим оксидом кремнію у всесвіті.

Утворюється при взаємодії діоксиду кремнію (SiO₂) з твердим відновником (наприклад, металічним кремнієм чи вугіллям) за температур вище 1200 °C і високого вакууму (p<10⁻³ торр):

$Si{O}_2+C\rightleftharpoons SiO+CO$

$Si{O}_2+Si\rightleftharpoons 2SiO$.

В газовій фазі існує як у вигляді мономерів, так і димерів Si₂O₂ і тримерів Si₃O₃, що доведено методом матричної ізоляції. При осадженні на холодну поверхню утворює твердий монооксид кремнію.

Твердий моноксид кремнію — виключно аморфна речовина. Дані щодо його структури досі суперечливі. Два основні підходи розглядають його як 1) систему доменів Si та SiO₂ чи 2) сітку з 4-координованими атомами кремнію, частина позицій в якій зайнята іншими атомами кремнію. Відомо, що в температурному інтервалі 400–900 °C моноксид кремнію диспропорціонує на металічний кремній, оточений шаром SiO₂. Цей метод, зокрема, використовують для одержання квантових точок для подальшого застосування в світловипромінюючих діодах (LED).

Джерела

• Брауэр Г. (ред.) Руководство по неорганическому синтезу. (В 6 томах). Т.3. Москва «Мир». 1985. С. 762
• Silicon Chemistry. From the Atom to Extended Systems, Jutzi, P. and Schubert, U., Eds., Wiley-VCH, Weinheim, 2003