Перегляд вихідного коду сторінки Напівпровідник

{{unibox}}[[Файл:Crystal.jpg|thumb|Монокристал кремнію, вирощений за [[метод Чохральського|методом Чохральського]]]]
'''Напівпровідники́''' ({{lang-en|semiconductors}})&nbsp;— матеріали, [[електропровідність]] яких має проміжне значення між провідностями [[провідник]]а та [[діелектрики|діелектрика]]<ref>[http://leksika.com.ua/17471226/ure/napivprovidniki «Напівпровідники»] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20161121043200/http://leksika.com.ua/17471226/ure/napivprovidniki |date=21 листопада 2016 }} // {{УРЕ}}</ref>. Відрізняються від провідників значною залежністю питомої провідності від концентрації домішок, температури та різних видів випромінювання. Основною відмінною властивістю цих матеріалів є збільшення електричної провідності з ростом температури.

==Загальний опис==
Напівпровідниками є речовини, ширина [[заборонена зона|забороненої зони]] яких становить близько кількох [[електронвольт]] (еВ). Наприклад, [[алмаз]] можна віднести до широкозонних напівпровідників, а [[арсенід індію]]&nbsp;— до вузькозонних. До числа напівпровідників належать багато [[прості речовини|простих речовин]] ([[германій]], [[Силіцій|кремній]]), величезна кількість сплавів і хімічних сполук ([[арсенід галію]], телурид цинку, [[фосфід галію]] та інші). Напівпровідникові властивості мають багато потрійних і складніших хімічних сполук, наприклад ZnSiAs<sub>2</sub>. Напівпровідниковими є ціла низка органічних сполук: [[антрацен]], [[нафтален]], [[фталоціаніни]] тощо.

Залежно від того, чи віддає домішковий атом електрон, чи захоплює, його називають донорним або акцепторним. Характер домішки може змінюватися залежно від того, який атом ґратки вона заміщує, в яку кристалографічну площину вбудовується.

== Фізичні властивості ==
Електропровідність та інші кінетичні коефіцієнти, які визначають явища перенесення в напівпровідниках, дуже чутливі до зміни температури, а також інших зовнішніх впливів&nbsp;— освітлення, опромінення ядерними частинками, зовнішніх електричних та магнітних полів тощо.

За низьких температур електропровідність напівпровідників є незначною. При температурі близькій до [[абсолютний нуль|абсолютного нуля]] напівпровідники мають властивості [[Діелектрики|ізоляторів]]. [[Кремній]], наприклад, при низькій температурі погано проводить [[електричний струм]], але під впливом [[Світло|світла]], тепла чи [[Електрична напруга|напруги]] електропровідність зростає.

Важливою властивістю напівпровідників є також те, що вони допускають зворотне перетворення електричної енергії у світлову, теплову або механічну.

== Механізм електричної провідності напівпровідників ==

=== Види носіїв заряду у напівпровідниках ===
Напівпровідники характеризуються як властивостями провідників, так і [[діелектрики|діелектриків]]. У напівпровідникових кристалах атоми встановлюють [[ковалентний зв'язок|ковалентні зв'язки]] (тобто, один електрон у кристалі кремнію, пов'язаний двома атомами), електронам для вивільнення з атома потрібен рівень внутрішньої енергії (1,76{{e|-19}} Дж проти 11,2 {{e|-19}} Дж у діелектриків, чим і характеризується відмінність між напівпровідниками та діелектриками). Ця енергія з'являється у них при підвищенні температури (наприклад, при кімнатній температурі рівень енергії теплового руху атомів дорівнює 0,04{{e|-19}} Дж), і окремі електрони отримують енергію, достатню для відривання від ядра.

Під час розриву зв'язку між електроном і ядром з'являється вільне місце в електронній оболонці атома. Це обумовлює перехід електрона з іншого атома на атом з вільним місцем. На атом, звідки перейшов електрон, входить інший електрон з іншого атома і&nbsp;т.&nbsp;д. Цей процес обумовлюється ковалентними зв'язками атомів. Таким чином, відбувається переміщення позитивного заряду без переміщення самого атома. Цей умовний позитивний заряд називають [[Дірка (квазічастинка)|діркою]].

З ростом температури число вільних електронів і дірок збільшується, тому напівпровідник, що не містить домішок, має вищий питомий електричний опір, ніж з домішками. Умовно прийнято вважати напівпровідниками елементи з енергією зв'язку електронів меншою від 1,5…2 еВ. Електронно-дірковий механізм електричної провідності проявляється у ''власних напівпровідників'' (тобто у хімічно чистих з ідеально правильними кристалічними ґратками). Він називається ''власною провідністю'' напівпровідників. Згідно із зонною теорією твердих тіл власна провідність напівпровідника пов'язана з тим, що в результаті теплового збудження частина електронів перекидається з [[валентна зона|валентної зони]] Е<sub>в</sub> у [[зона провідності|зону провідності]] Е<sub>п</sub>. Ці електрони називають ''електронами провідності''; під дією зовнішнього електричного поля вони набувають у напівпровіднику впорядкованого руху (дрейфу), утворюючи електричний струм.

Електрони, що залишилися у валентній зоні, теж беруть участь у створенні електричного струму, переходячи під дією поля на звільнені енергетичні рівні поблизу «стелі» валентної зони. Цей рух можна розглядати як рух позитивно заряджених носіїв заряду&nbsp;— дірок. Зазвичай рухливість дірок у напівпровіднику є нижчою від рухливості електронів провідності.

Між зоною провідності Е<sub>п</sub> і валентною зоною Е<sub>в</sub> розташовується [[Заборонена зона|зона заборонених значень]] енергії електронів Е<sub>з</sub>. Різниця Е<sub>п</sub>−Е<sub>в</sub> відповідає ширині забороненої зони Е<sub>з</sub>. З ростом ширини Е<sub>з</sub> число електронно-діркових пар і провідність власного напівпровідника зменшується, а питомий опір зростає. Концентрація дірок у власному напівпровіднику дорівнює концентрації електронів провідності.

=== Рухливість носіїв заряду ===
''[[Рухливість носіїв заряду|Рухливістю носіїв струму]]'' <math>\mu</math> називають коефіцієнт пропорційності між дрейфовою швидкістю<ref>Дрейфова швидкість&nbsp;— середня швидкість упорядкованого руху V, викликана впливом на електрони за допомогою зовнішнього поля</ref> <math>\vec v</math> носіїв струму і величиною напруженості <math>\vec E</math> прикладеного [[Електричне поле|електричного поля]]
: <math>\vec v = \mu \vec E.</math>
При цьому, взагалі то, рухливість є [[тензор]]ом:
: <math>\ v_\alpha = \mu_{\alpha\beta} E_\beta.</math>

Рухливість [[електрон]]ів і дірок залежить від їхньої концентрації у напівпровіднику. При великій концентрації носіїв [[Електричний заряд|заряду]], [[імовірність]] зіткнення між ними зростає, що приводить до зменшення рухливості і провідності.

[[Розмірність фізичної величини|Розмірність]] рухливості&nbsp;— [[квадратний метр|м²]]/([[Вольт|В]]•[[Секунда|с]]).

=== Власна концентрація носіїв заряду ===
За термодинамічної рівноваги, концентрація електронів у напівпровіднику пов'язана з температурою таким співвідношенням:
: <math>\bar n=\frac{2}{h^3}(2\pi mkT)^{3/2}e^{-\frac{E_C-E_F}{kT}}</math>
де: <math>h</math>&nbsp;— [[стала Планка]];
: <math>m</math>&nbsp;— маса [[електрон]]а;
: <math>T</math>&nbsp;— [[Термодинамічна температура|абсолютна температура]];
: <math>E_C</math>&nbsp;— рівень зони провідності;
: <math>E_F</math>&nbsp;— [[Енергія Фермі|рівень Фермі]].

Також, концентрація дірок напівпровідника пов'язана з температурою таким співвідношенням:
: <math>\bar p=\frac{2}{h^3}(2\pi mkT)^{3/2}e^{-\frac{E_F-E_V}{kT}}</math>
де: <math>h</math>&nbsp;— [[стала Планка]].
: <math>m</math>&nbsp;— ефективна маса дірки;
: <math>T</math>&nbsp;— [[Термодинамічна температура|абсолютна температура]];
: <math>E_F</math>&nbsp;— [[Енергія Фермі|рівень Фермі]];
: <math>E_V</math>&nbsp;— рівень валентної зони.

Власна концентрація <math>n_i</math> пов'язана з <math>\bar n</math> та <math>\bar p</math> таким співвідношенням:
: <math>\bar n \bar p=n_i^2.</math>

=== Домішкова провідність ===
[[Файл:N type semiconductor.png|thumb|300px|{{center|[[Напівпровідник n-типу]]}}]]
[[Файл:P type semiconductor.png|thumb|300px|{{center|[[Напівпровідник p-типу]]}}]]
Домішковою провідністю напівпровідників називають їхню електропровідність, зумовлену наявністю домішкових центрів. Домішковими центрами (домішками) вважають:
* атоми сторонніх елементів;
* надлишкові (порівняно зі стехіометричним складом) атоми елементів, що входять до напівпровідників;
* всілякі дефекти кристалічних ґраток: порожні вузли, атоми або іони, вкраплені між вузлами ґратки, зсуви, пов'язані з пластичною деформацією кристала, тріщини тощо.

Домішки вносять зміни у періодичне електричне поле кристала і впливають на рух електронів та їхні енергетичні стани. Енергетичні рівні валентних електронів домішкових атомів не розташовуються у дозволених енергетичних зонах основного кристала, а утворюють домішкові енергетичні рівні (локальні рівні), що розташовані у забороненій зоні.

Домішки можуть слугувати додатковими джерелами електронів у кристалі. Наприклад при заміщенні одного чотиривалентного атома германію п'ятивалентним атомом фосфору, арсену або стибію один електрон не може утворити ковалентний зв'язок і є «зайвим».

Енергетичний рівень такого електрона розташовується нижче від зони провідності. Такі рівні, заповнені електронами, називають ''атомами-донорами''. Для переведення електронів з донорних рівнів у незаповнену зону провідності потрібна порівняно мала енергія. Наприклад, для кремнію ΔW<sub>n</sub> = 0,054 еВ, у випадку коли домішкою є миш'як. У результаті переведення електронів з донорних рівнів у зону провідності у напівпровіднику виникає ''електронна домішкова провідність''. Напівпровідники такого типу називають ''електронними'' або ''[[напівпровідник n-типу|напівпровідниками n-типу]]''.

Для випадку тривалентної домішки (бор, алюміній, індій) у кристалі германію бракує одного електрона для утворення ковалентних зв'язків з 4-ма сусідніми атомами германію. Цей електрон можна отримати з валентної зони напівпровідника з утворенням у цій зоні дірки. Такі домішки називають ''акцепторними'', а їхні локальні енергетичні рівні, які називають ''акцепторними рівнями'', перебувають у забороненій зоні напівпровідника на невеликій відстані від «стелі» валентної зони. Такі домішкові напівпровідники мають за низької температури ''діркову провідність'' або ''провідність p-типу'', а напівпровідники називають ''[[напівпровідник p-типу|напівпровідниками p-типу]]''.

== Зонна структура ==
[[Файл:Bandgap in semiconductor.svg|thumb|right|200px|Зонна структура напівпровідника]]
Напівпровідники мають повністю заповнену [[валентна зона|валентну зону]], відділену від [[зона провідності|зони провідності]] неширокою [[заборонена зона|забороненою зоною]]. Ширина забороненої зони напівпровідників зазвичай менша за 3 [[електронвольт|еВ]]. Неширока заборонена зона призводить до того, що при підвищенні температури ймовірність збудження [[електрон]]а у зону провідності зростає за [[Показникова функція|експоненційним законом]]. Саме цим фактом зумовлене збільшення [[електропровідність|електропровідності]] [[власний напівпровідник|власних напівпровідників]].

Ще більше на електропровідність напівпровідників впливають [[Легуюча домішка|домішки]]&nbsp;— [[Донор електрона|донори]] й [[Акцептор електрона|акцептори]].
Завдяки доволі великій [[діелектрична проникність|діелектричній проникності]] домішкові рівні в забороненій зоні розташовані дуже близько до зони провідності чи до валентної зони (< 0,5 еВ), й легко [[іонізація|іонізуються]], віддаючи електрони в зону провідності чи забираючи їх із валентної зони. [[Легування (електроніка)|Леговані]] напівпровідники мають значну електропровідність.

Невелика ширина забороненої зони також сприяє [[фотопровідність|фотопровідності]] напівпровідників.

В залежності від концентрації домішок напівпровідники діляться на [[Власний напівпровідник|власні]] (без домішок), [[напівпровідник n-типу|n-типу]] ([[донор електрона|донори]]), [[напівпровідник p-типу|p-типу]] ([[Акцептор електрона|акцептори]]) і компенсовані (концентрація донорів урівноважує концентрацію акцепторів, й напівпровідник поводиться, як власний). При дуже високій концентрації домішок напівпровідник стає [[вироджений напівпровідник|виродженим]] і поводить себе як [[Метали|метал]].

У напівпровідникових приладах використовуються унікальні властивості контакту областей напівпровідника, одна з яких належить до n-типу, інша до p-типу&nbsp;— так званих [[p-n-перехід|p-n-переходів]]. p-n-переходи проводять струм лише в одному напрямку. Схожі властивості мають також контакти між напівпровідниками й металами&nbsp;— [[контакт Шотткі|контакти Шотткі]].

== Оптичні властивості напівпровідників ==

=== Поглинання світла ===
Поглинання світла напівпровідниками зумовлене переходами між енергетичними станами зонної структури. З огляду на [[принцип Паулі]] електрони можуть переходити тільки із заповненого енергетичного стану в незаповнений. У власному напівпровіднику усі стани валентної зони заповнені, а всі стани зони провідності незаповнені, тому переходи можливі лише з валентної зони в зону провідності. Для здійснення такого переходу електрон повинен отримати від світла енергію, не меншу за ширину забороненої зони. [[Фотон]]и з меншою енергією не викликають переходів між електронними станами напівпровідника, тому напівпровідники прозорі в області частот <math> \omega < E_g /\hbar </math>, де <math> E_g </math>&nbsp;— ширина забороненої зони, <math> \hbar </math>&nbsp;— [[Стала Планка|зведена стала Планка]]. Ця частота визначає [[фундаментальний край поглинання]] для напівпровідника. Для напівпровідників, які найчастіше застосовуються в електроніці ([[Силіцій|кремнію]], [[германій|германію]], [[арсенід галію|арсеніду галію]]) вона лежить в [[інфрачервоне випромінювання|інфрачервоній]] області [[спектр]]у.

Додаткові обмеження на поглинання світла напівпровідниками накладають [[правила відбору]], зокрема [[закон збереження імпульсу]]. Закон збереження імпульсу вимагає, щоб [[квазіімпульс]] кінцевого стану відрізнявся від квазі-імпульсу початкового стану на величину імпульсу поглинутого фотона. [[Хвильове число]] фотона <math> 2\pi/\lambda </math>, де <math> \lambda </math>&nbsp;— довжина хвилі, дуже мале в порівнянні з [[обернена ґратка|вектором оберненої ґратки]] напівпровідника, або, що те ж саме, довжина хвилі фотона у видимій області набагато більша за характерну міжатомну віддаль у напівпровіднику, що призводить до вимоги того, щоб квазіімпульс кінцевого стану при електронному переході практично дорівнював квазіімпульсу початкового стану. При частотах, близьких до фундаментального краю поглинання, це можливо лише для [[заборонена зона|прямозонних напівпровідників]]. Оптичні переходи в напівпровідниках, при яких імпульс електрона майже не змінюється, називаються '''прямими''' або '''вертикальними'''. Імпульс кінцевого стану може значно відрізнятися від імпульсу початкового стану, якщо в процесі поглинання фотона бере участь ще інша, третя частинка, наприклад, [[фонон]]. Такі переходи теж можливі, хоча й менш імовірні. Вони називаються '''непрямими переходами'''.

Таким чином, прямозонні напівпровідники, наприклад, [[арсенід галію]], починають сильно поглинати світло, коли енергія його кванта перевищує ширину забороненої зони. Такі напівпровідники дуже зручні для використання в [[оптоелектроніка|оптоелектроніці]].

Непрямозонні напівпровідники, наприклад, кремній, поглинають в області частот світла з енергією кванта ледь більшою за ширину забороненої зони значно слабше, лише завдяки непрямим переходам, інтенсивність яких залежить від присутності фононів, а, отже, від [[температура|температури]]. Гранична частота прямих переходів для кремнію більша за 3 еВ, тобто лежить в [[ультрафіолетове випромінювання|ультрафіолетовій області]] спектру.

При переході електрона з валентної зони в зону провідності в напівпровіднику виникають вільні [[носії заряду]], а отже [[фотопровідність]].

При частотах, нижчих за край фундаментального поглинання, можливе поглинання світла, зв'язане зі збудженням [[екситон]]ів, присутністю домішок і поглинанням фононів. Екситонні зони розташовані в напівпровіднику дещо нижче від дна зони провідності завдяки енергії зв'язку [[екситон]]а. Екситонні спектри поглинання мають [[Спектр атома Гідрогену|воднеподібну]] структуру. Аналогічним чином домішки, [[Акцептор електрона|акцептори]] чи [[донор електрона|донори]], створюють акцепторні чи донорні рівні, що лежать у забороненій зоні. Вони значно модифікують спектр поглинання легованого напівпровідника. Якщо при непрямому переході одночасно з квантом світла поглинається фонон, то енергія поглинутого світлового кванта може бути меншою на величину енергії фонона, що приводить до поглинання на частотах, дещо менших від фундаментального краю.
== Інші ==
Також деяким напівпровідникам властива звуколюмінісценція, різновид [[Механолюмінесценція|механолюмінесценції]] - явище перетворення звукових хвиль у світло завдяки [[Акустоконцентраційний ефект|акустоконцентраційному ефекту]]<ref>[[Успехи физических наук]], октябрь 2005, том 175, №10, с.1141</ref>.

== Типи напівпровідників в періодичній системі елементів ==
У таблиці, що подана нижче міститься інформація про напівпровідникові елементи.

Неорганічні напівпровідники розділяють на типи:
* Одноелементні напівпровідники IV групи періодичної системи елементів. За сучасною хімічною класифікацією ця група називається [[група 14 періодичної системи елементів]], але в фізиці заведено використовувати стару термінологію.
* Складні: двоелементний A<sup>III</sup> B<sup>V</sup> і A<sup>II</sup> B<sup>VI</sup> з третьої і п'ятої групи, і з другої і шостої групи елементів відповідно.

{| cellpadding="0" cellspacing="0" style="text-align:center"
|style="width:5em"| '''Група'''
|style="width:4em"| '''IIB'''
|style="width:4em"| '''IIIA'''
|style="width:4em"| '''IVA'''
|style="width:4em"| '''VA'''
|style="width:4em"| '''VIA'''
|-
| '''{{color|red|Період}}'''
|-
| '''{{color|red|2}}'''
|
|bgcolor="#cccc99"| 5 [[бор|B]]
|bgcolor="#a0ffa0"| 6 [[вуглець|C]]
|bgcolor="#a0ffa0"| 7 [[азот|N]]
|-
| '''{{color|red|3}}'''
|
|bgcolor="#cccccc"| 13 [[Алюміній|Al]]
|bgcolor="#cccc99"| 14 [[Кремній|Si]]
|bgcolor="#a0ffa0"| 15 [[Фосфор|P]]
|bgcolor="#a0ffa0"| 16 [[Сірка|S]]
|-
| '''{{color|red|4}}'''
|bgcolor="#ffc0c0"| 30 [[Цинк|Zn]]
|bgcolor="#cccccc"| 31 [[Галій|Ga]]
|bgcolor="#cccc99"| 32 [[Германій|Ge]]
|bgcolor="#cccc99"| 33 [[Арсен|As]]
|bgcolor="#a0ffa0"| 34 [[Селен|Se]]
|-
| '''{{color|red|5}}'''
|bgcolor="#ffc0c0"| 48 [[Кадмій|Cd]]
|bgcolor="#cccccc"| 49 [[Індій|In]]
|bgcolor="#cccccc"| 50 [[Станум|Sn]]
|bgcolor="#cccc99"| 51 [[Стибій|Sb]]
|bgcolor="#cccc99"| 52 [[Телур|Te]]
|-
| '''{{color|red|6}}'''
|bgcolor="#ffc0c0"| 80 [[Ртуть|Hg]]
|}
Усі типи неорганічних напівпровідників мають цікаву залежність ширини забороненої зони від періоду, а саме&nbsp;— зі збільшенням періоду ширина забороненої зони зменшується.

== Методи отримання ==
Властивості напівпровідників залежать від способу отримання, оскільки різноманітні домішки у процесі отримання монокристалів можуть впливати на них. Один з відомих способів промислового отримання монокристалічного технологічного кремнію є витягування з розплаву за [[метод Чохральського|методом Чохральського]]. Для очищення технологічного кремнію використовують також [[зонне плавлення|метод зонного плавлення]].

Для отримання монокристалів напівпровідників використовують різні методи фізичного і хімічного осадження. Найпрецизійніший і дорогий інструмент в руках технологів для вирощування монокристалічних плівок&nbsp;— установки [[молекулярно-променева епітаксія|молекулярно-променевої епітаксії]], що дозволяє вирощувати кристал з точністю до моношару.

Легувальні домішки вводять для керування величиною і типом провідності напівпровідника. Наприклад, поширений кремній можна легувати елементом V підгрупи періодичної системи елементів&nbsp;— фосфором, який є донором, і створити n-Si. Для отримання кремнію з дірковим типом провідності (p-Si) використовують бор (акцептор). Також створюють компенсовані напівпровідники з тим щоб зафіксувати рівень Фермі у середині забороненої зони.

p-n-переходи можуть бути отримані декількома методами:
* ''перший метод'' полягає в додаванні легованого напівпровідника у розплав в процесі витягування. Спочатку ведуть витягування монокристала, наприклад, з розплаву германію. У певний момент в розплав вводять порцію сильно легованого p-германію. Відразу ж у кристалі, що витягується почне переважати p-провідність, яка разом з раніше вирощеною ділянкою кристала утворює p-n-перехід.
* ''другий метод'' ґрунтується на зміні швидкості витягування затравки з розплаву, що містить акцепторні і донорні домішки. Припустимо, що в розплаві донорні домішки містяться у надлишку в порівнянні з акцепторними, тоді при повільному витягуванні монокристала в ньому буде виходити n-область, а при швидкому&nbsp;— p-область. Це пояснюється тим, що при малій швидкості витягування акцепторна домішка, що витісняється у рідку фазу, встигає дифундувати в розплаві і його склад вирівнюється.
* ''третій метод''&nbsp;— метод вплавлення полягає в тому, що на пластинку n-напівпровідника накладають зернятко елемента III групи. Наприклад, на пластинку n-германію можна помістити шматочок індію. Якщо нагрівати заготовку у вакуумі до 500 °С, то індій розплавиться і за рахунок розчинення германію у пластинці з'явиться заглибина, заповнена розплавом. У процесі охолодження починається кристалізація германію, в решітку якого потрапляють атоми індію&nbsp;— акцептори; утворюється шар p-германію, у якому концентрація індію зростає по мірі наближення до поверхні. Між n-германієм і шаром p-германію виникає p-n-перехід.
* ''четвертий метод''&nbsp;— метод дифузії зводиться до насичення поверхневого шару напівпровідника за досить високої температури донорною або акцепторною домішкою з газової фази, або з попередньо напиленого шару. Отримання заданих розмірів і форми p-n-переходу досягається застосуванням масок.

Розглянуті методи застосовують також для отримання у кристалі областей з різною величиною питомої провідності.

== Використання ==
Кремній найчастіше використовується в [[діод]]ах, [[світлодіод]]ах, [[транзистор]]ах, випрямлячах і [[Мікросхема|інтегральних схемах]] ([[Мікросхема|чипах]]), [[сонячний елемент|сонячних елементах]]. Окрім кремнію широко використовуються [[арсенід галію]], [[арсенід алюмінію]], [[германій]] та багато інших. В останні роки дедалі популярніші [[органічні напівпровідники]], які застосовуються, наприклад, у копіювальній техніці.
== Див. також ==
* [[Напівпровідник n-типу]]
* [[Напівпровідник p-типу]]
* [[Напівпровідникові прилади]]
* [[Ізовалентна домішка]]
* [[Напівметал (спінтроніка)]]
* [[Рівняння тепломасоперенесення]]
* [[Органічні напівпровідники]]
* [[Аморфний напівпровідник]]
* [[Струм витоку]]
* [[Електричний опір та електропровідність]]
* [[Ефект Дембера]]
* [[Промисловість рідкісних і напівпровідникових металів]]

== Примітки ==
{{reflist}}

== Джерела ==
* Основи технології напівпровідникових матеріалів : навч. посіб. / І. В. Курило, С. К. Губа ; М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". – Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2012. – 240 с. : іл. –  Бібліогр.: с. 233-234 (18 назв). – ISBN 978-617-607-236-2
* Фізика напівпровідників : підруч. для студентів ВНЗ / Ю. В. Попик ; М-во освіти і науки України, ДВНЗ "Ужгород. нац. ун-т". – Ужгород : ТОВ "ІВА", 2014. – 820 с. : іл. – Бібліогр.: с. 810-814 (117 назв). – ISBN 978-617-501-089-1
* Фізичні основи напівпровідників та електронних структур : Навч. посіб. для студ. вищ. навч. техн. закл. / П. С. Кособуцький, М. В. Лобур, І. Є. Лопатинський; ред.: П. С. Кособуцький; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2001. - 347 c. - Бібліогр.: с.341-345.
* {{книга
|автор= Яворський Б. М.
|заголовок=Довідник з фізики: для інженерів та студентів вищих навч. закладів 
|відповідальний= Б. М. Яворський, А. А. Детлаф, А. К. Лебедєв
|рік=2005
|видавництво=Навчальна книга-Богдан
|місто={{Comment|Т.|Тернопіль}}
|сторінок=1034
|isbn=966-692-818-3}}
* {{книга
|автор=Ансельм А.И. 
|заголовок=Введение в теорию полупроводников 
|рік=1978
|видавництво=Наука 
|місто=М.
|сторінок=616}}
* {{книга
|автор=Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. 
|заголовок=Физика полупроводников 
|рік=1977
|видавництво=Наука 
|місто=М.
|сторінок=672}}
* {{книга
|автор=Курносов А.И., Юдин В.В.
|заголовок=Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
|видання=3-е издание, переработанное, дополненное.
|рік=1986
|видавництво=Высшая школа
|місто=М.
|сторінок=368}}
* {{книга
|автор=Питер Ю, Мануэль Кардона
|заголовок=Основы физики полупроводников
|відповідальний=Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени
|видання=3-е изд., испр. и доп
|рік=2002
|видавництво=Физматлит
|місто=М.
|сторінок=560}}
* {{книга
|автор=Сорокин В.С.
|заголовок=Материалы и элементы электронной техники. В 2 т.
|том = 1. Проводники, полупроводники, диэлектрики: учебник для студ. высш. учеб. заведений
|відповідальний=В.С. Сорокин, Б. Л. Антипов, Н. П. Лазарев
|видання=
|рік=2006
|видавництво=Издательский центр «Академия»
|місто=М.
|сторінок=448}}

== Посилання ==
{{Commons category|Semiconductors}}
* ''Баранський П. І., Гайдар Г. П.'' [http://www.nbuv.gov.ua/old_jrn/natural/te/2003_2/bar.ukr.pdf Напівпровідникове матеріалознавство: досягнення, принципові і технологічні проблеми, перспективи] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20161121174731/http://www.nbuv.gov.ua/old_jrn/natural/te/2003_2/bar.ukr.pdf |date=21 листопада 2016 }} // Термоелектрика No 2, 2003.&nbsp;— С. 4&nbsp;— 15.&nbsp;— ISSN 1726-7714
* ''Steve Sque'' Calculator for the [http://www.stevesque.com/calculators/intrinsic-carrier-concentration/ intrinsic carrier concentration] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20161106015332/http://www.stevesque.com/calculators/intrinsic-carrier-concentration/ |date=6 листопада 2016 }} in silicon {{ref-en}}
* Semiconductor OneSource [http://www.semi1source.com/shof/ Hall of Fame] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20091009135303/http://www.semi1source.com/shof/ |date=9 жовтня 2009 }}, [https://web.archive.org/web/20060201232428/http://semiconductorglossary.com/ Glossary] {{ref-en}}
* [http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor Devices] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090213122751/http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ |date=13 лютого 2009 }} by Bart Van Zeghbroeck, [[Колорадський університет у Боулдері|University of Colorado]], 2011 {{ref-en}}
* [http://www.tpub.com/content/neets/14179/index.htm US Navy Electrical Engineering Training Series] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20040606111842/http://www.tpub.com/content/neets/14179/index.htm |date=6 червня 2004 }} {{ref-en}}
* [http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html Semiconductors on NSM-Archive] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090306114230/http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html |date=6 березня 2009 }} {{ref-en}}
* [https://web.archive.org/web/20090826143426/http://www.semiconductor-scout.com/manufacturer/semiconductor-manufacturer.html Semiconductor Manufacturer List] {{ref-en}}

{{бібліоінформація}}
{{Електротехніка}}

[[Категорія:Напівпровідники|*]]
[[Категорія:Електроматеріали]]
[[Категорія:Фізика напівпровідників]]
[[Категорія:Електроніка]]
[[Категорія:Базові поняття фізики]]
[[Категорія:Напівпровідникова техніка]]